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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA06N120P
  仓库库存编号：IXTA06N120P-ND
  别名：617329
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3042LFDF-7
  仓库库存编号：DMN3042LFDF-7DICT-ND
  别名：DMN3042LFDF-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Tc） 50W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PML260SN,118
  仓库库存编号：1727-7220-1-ND
  别名：1727-7220-1
  568-9716-1
  568-9716-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N60P3
  仓库库存编号：IXFA7N60P3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3042LFDF-13
  仓库库存编号：DMN3042LFDF-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP7N60P3
  仓库库存编号：IXFP7N60P3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP06N120P
  仓库库存编号：IXTP06N120P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1071X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1071X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1071X-T1-E3CT
  SI1071XT1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1071X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1071X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1071X-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.3nC @ 10V,
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