产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD04N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N50C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R660CFD
仓库库存编号:
IPB65R660CFDCT-ND
别名:IPB65R660CFDCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.1A(Tc) 96W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R299CP
仓库库存编号:
IPL60R299CPCT-ND
别名:IPL60R299CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 89.3W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R360P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R360P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R360P6SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 93W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R330P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R330P6XKSA1-ND
别名:SP001017060
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R385CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R385CPXKSA1-ND
别名:IPA60R385CP
IPA60R385CP-ND
SP000089316
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 93W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R330P6FKSA1
仓库库存编号:
IPW60R330P6FKSA1-ND
别名:SP001017084
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N50C3
仓库库存编号:
SPD04N50C3INCT-ND
别名:SPD04N50C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R330P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R330P6XKSA1-ND
别名:SP001017074
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600CEAUMA1-ND
别名:SP001466998
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R600CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R600CEAKMA1-ND
别名:SP001605364
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名:IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名:SP001117748
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB04N50C3ATMA1TR-ND
别名:SP000014477
SPB04N50C3
SPB04N50C3-ND
SPB04N50C3INTR
SPB04N50C3INTR-ND
SPB04N50C3XT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS70R600CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R600CEAKMA1-ND
别名:SP001407894
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 93W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R330P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R330P6ATMA1-ND
别名:SP001364470
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 27.8W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R660CFD
IPA65R660CFD-ND
SP000838284
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R660CFD
IPI65R660CFD-ND
SP000861696
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252
型号:
IPAW70R600CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW70R600CEXKSA1-ND
别名:SP001619370
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MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R385CP
仓库库存编号:
IPB60R385CPCT-ND
别名:IPB60R385CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R385CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R385CPXKSA1-ND
别名:IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R385CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R385CPXKSA1-ND
别名:IPP60R385CP
IPP60R385CP-ND
IPP60R385CPAKSA1
IPP60R385CPX
IPP60R385CPXK
SP000082281
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 700V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R660CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R660CFDFKSA1-ND
别名:IPW65R660CFD
IPW65R660CFD-ND
SP000861700
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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