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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 500V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP32NM50N
  仓库库存编号：497-13274-5-ND
  别名：497-13274-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 500V 22A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF32NM50N
  仓库库存编号：497-13266-5-ND
  别名：497-13266-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 28A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW34N65M5
  仓库库存编号：497-13123-5-ND
  别名：497-13123-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：STB32NM50N
  仓库库存编号：497-13264-1-ND
  别名：497-13264-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI34N65M5
  仓库库存编号：497-13163-ND
  别名：497-13163
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STI34N65M5
  仓库库存编号：497-13439-ND
  别名：497-13439
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28NM60ND
  仓库库存编号：497-14202-5-ND
  别名：497-14202-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF28NM60ND
  仓库库存编号：497-14192-5-ND
  别名：497-14192-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 28A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP34N65M5
  仓库库存编号：497-13111-5-ND
  别名：497-13111-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28NM60ND
  仓库库存编号：497-14238-1-ND
  别名：497-14238-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP28NM60ND
  仓库库存编号：497-14196-5-ND
  别名：497-14196-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N CH 500V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW32NM50N
  仓库库存编号：497-13284-5-ND
  别名：497-13284-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34N65M5
  仓库库存编号：497-13085-1-ND
  别名：497-13085-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.5A（Tc） 2.8W（Ta），150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL34N65M5
  仓库库存编号：497-15024-1-ND
  别名：497-15024-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62.5nC @ 10V,
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