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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH110N25T
  仓库库存编号：IXTH110N25T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 157nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH110N25T
  仓库库存编号：IXFH110N25T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 157nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 45.8A（Tc） 368W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH47N60NF
  仓库库存编号：FCH47N60NF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 157nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 50A（Tc） 180W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC110N25T
  仓库库存编号：IXTC110N25T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 157nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 110A（Tc） 694W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV110N25TS
  仓库库存编号：IXTV110N25TS-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 157nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB065N06L G
  仓库库存编号：IPB065N06L G-ND
  别名：IPB063N06LGXT
  IPB065N06LGXT
  SP000204183
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 157nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP065N06LGAKSA1
  仓库库存编号：IPP065N06LGAKSA1-ND
  别名：IPP065N06L G
  IPP065N06L G-ND
  IPP065N06LG
  IPP065N06LGXK
  SP000204182
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 157nC @ 10V,
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