产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
型号：
AO3442
仓库库存编号：
785-1461-1-ND
别名：785-1461-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Tc） 3W（Ta） SOT-223
型号：
STN3N45K3
仓库库存编号：
497-10649-1-ND
别名：497-10649-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 40V SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 480mW（Ta）, 6.25W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV250EPEAR
仓库库存编号：
1727-2303-1-ND
别名：1727-2303-1
568-12589-1
568-12589-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FDD6N25TM
仓库库存编号：
FDD6N25TMCT-ND
别名：FDD6N25TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FDT3N40TF
仓库库存编号：
FDT3N40TFCT-ND
别名：FDT3N40TFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4S60
仓库库存编号：
785-1265-1-ND
别名：785-1265-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
FDU3N40TU
仓库库存编号：
FDU3N40TU-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 200mW（Ta） SMT3
型号：
RHK003N06T146
仓库库存编号：
RHK003N06T146CT-ND
别名：RHK003N06T146CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta），5.5A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86113LZ
仓库库存编号：
FDD86113LZFSCT-ND
别名：FDD86113LZFSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU50R2K0CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU50R2K0CEBKMA1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.8A（Ta） 490mW（Ta） TO-236AB
型号：
PMV65UNER
仓库库存编号：
1727-2707-1-ND
别名：1727-2707-1
568-13226-1
568-13226-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 300mA（Ta） 2.1W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号：
TSM1N80CW RPGTR-ND
别名：TSM1N80CW RPGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 300mA（Ta） 2.1W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号：
TSM1N80CW RPGCT-ND
别名：TSM1N80CW RPGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 300mA（Ta） 2.1W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号：
TSM1N80CW RPGDKR-ND
别名：TSM1N80CW RPGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5124PLTAG
仓库库存编号：
NVTFS5124PLTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5124PLTAGOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR315PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR315PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR315PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
型号：
FDU6N25
仓库库存编号：
FDU6N25-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 400V 2A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 35W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD3T40P
仓库库存编号：
785-1720-1-ND
别名：785-1720-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
STN1NF10
仓库库存编号：
497-14747-1-ND
别名：497-14747-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
型号：
FDD3N40TM
仓库库存编号：
FDD3N40TMCT-ND
别名：FDD3N40TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），7.5A（Tc） 2.3W（Ta），19W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC86116LZ
仓库库存编号：
FDMC86116LZCT-ND
别名：FDMC86116LZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
FDFS6N754
仓库库存编号：
FDFS6N754CT-ND
别名：FDFS6N754CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC86244
仓库库存编号：
FDC86244CT-ND
别名：FDC86244CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 490mW（Ta）, 6.25W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65ENEAR
仓库库存编号：
1727-2535-1-ND
别名：1727-2535-1
568-12974-1
568-12974-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 27W（Tc） I-Pak
型号：
STU3N45K3
仓库库存编号：
497-12362-ND
别名：497-12362
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
无铅
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