产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 1150W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK170N20T
仓库库存编号:
IXFK170N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN70N60Q2
仓库库存编号:
IXFN70N60Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8832_F085
仓库库存编号:
FDB8832_F085CT-ND
别名:FDB8832_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8832
仓库库存编号:
FDB8832CT-ND
别名:FDB8832CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N30T
仓库库存编号:
IXFX120N30T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB70N60Q2
仓库库存编号:
IXFB70N60Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 170A(Tc) 1150W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX170N20T
仓库库存编号:
IXFX170N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 120A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N30T
仓库库存编号:
IXFK120N30T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 37A(Tc) 360W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL70N60Q2
仓库库存编号:
IXFL70N60Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 77A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT55M50JFLL
仓库库存编号:
APT55M50JFLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 265nC @ 10V,
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