产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (15)
Central Semiconductor Corp (1)
Diodes Incorporated (1)
Global Power Technologies Group (4)
Infineon Technologies (37)
IXYS (8)
Nexperia USA Inc. (3)
NXP USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (16)
ON Semiconductor (13)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (3)
STMicroelectronics (39)
Taiwan Semiconductor Corporation (7)
Toshiba Semiconductor and Storage (15)
Vishay Siliconix (76)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMP3130L-7
仓库库存编号：
DMP3130LDICT-ND
别名：DMP3130LDICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN014-40YS,115
仓库库存编号：
1727-4624-1-ND
别名：1727-4624-1
568-5578-1
568-5578-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），12.5A（Tc） 3.1W（Ta），20.8W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7296
仓库库存编号：
785-1731-1-ND
别名：785-1731-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD3N60
仓库库存编号：
785-1181-1-ND
别名：785-1181-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.2W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS412DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS412DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS412DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3459BDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3459BDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3459BDV-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4128DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4128DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4128DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL9014TRPBF
仓库库存编号：
IRFL9014PBFCT-ND
别名：*IRFL9014TRPBF
IRFL9014PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2325DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2325DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2325DS-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2325DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2325DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2325DS-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7117DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7117DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7117DN-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
型号：
BUK7880-55A/CUX
仓库库存编号：
1727-2222-1-ND
别名：1727-2222-1
568-12490-1
568-12490-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.1W（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN5632N_F085
仓库库存编号：
FDN5632N_F085CT-ND
别名：FDN5632N_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 3W（Tc）
型号：
SQ2362ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2362ES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V SO23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SQ2389ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2389ES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4178DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4178DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4178DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），57A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC052N03LS
仓库库存编号：
BSC052N03LSCT-ND
别名：BSC052N03LSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9014TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9014PBFCT-ND
别名：*IRFR9014TRPBF
IRFR9014PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRPBF
仓库库存编号：
IRFR310PBFCT-ND
别名：*IRFR310TRPBF
IRFR310PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2N60CTM
仓库库存编号：
FQD2N60CTMCT-ND
别名：FQD2N60CTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），10A（Tc） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA8878
仓库库存编号：
FDMA8878CT-ND
别名：FDMA8878CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号：
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名：BSZ520N15NS3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9014PBF
仓库库存编号：
IRFD9014PBF-ND
别名：*IRFD9014PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z14PBF
仓库库存编号：
IRF9Z14PBF-ND
别名：*IRF9Z14PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
型号：
CXDM4060N TR
仓库库存编号：
CXDM4060N CT-ND
别名：CXDM4060N CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
