产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (37)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),57A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03LS
仓库库存编号:
BSC052N03LSCT-ND
别名:BSC052N03LSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ520N15NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R650P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R650P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R650P6SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP530N15N3 G
仓库库存编号:
IPP530N15N3 G-ND
别名:IPP530N15N3G
IPP530N15N3GXKSA1
SP000521722
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP320SH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP320SH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRFTS9342TRPBF
仓库库存编号:
IRFTS9342TRPBFCT-ND
别名:IRFTS9342TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC520N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC520N15NS3 GCT
BSC520N15NS3 GCT-ND
BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.9A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600P6
仓库库存编号:
IPA60R600P6-ND
别名:IPA60R600P6XKSA1
SP001017070
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEAKMA1-ND
别名:SP001593932
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名:SP001058782
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名:SP001313874
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P6XKSA1-ND
别名:IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI530N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI530N15N3GXKSA1-ND
别名:IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G-ND
SP000807642
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 171W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R065C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R065C7ATMA1-ND
别名:SP001080110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1
仓库库存编号:
IRF7523D1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103
仓库库存编号:
IRFR3103-ND
别名:*IRFR3103
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TRL
仓库库存编号:
IRFR3103TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TR
仓库库存编号:
IRFR3103TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TRR
仓库库存编号:
IRFR3103TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014N
仓库库存编号:
IRFR9014N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号