以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 10A TSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3G100GNTB
  仓库库存编号：RQ3G100GNTBCT-ND
  别名：RQ3G100GNTBCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM600N25ECH C5G
  仓库库存编号：TSM600N25ECH C5G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RQ6E045BNTCR
  仓库库存编号：RQ6E045BNTCRCT-ND
  别名：RQ6E045BNTCRCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），6.5A（Tc） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN537N
  仓库库存编号：FDN537NCT-ND
  别名：FDN537NCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 46W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD2NM60T4
  仓库库存编号：STD2NM60T4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 24A（Tc） 25W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN023-40YLCX
  仓库库存编号：568-10157-1-ND
  别名：568-10157-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M008A025CG
  仓库库存编号：GP1M008A025CG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A025FG
  仓库库存编号：GP1M008A025FG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A025HG
  仓库库存编号：GP1M008A025HG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M008A025PG
  仓库库存编号：1560-1166-5-ND
  别名：1560-1166-1
  1560-1166-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索