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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1070X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1070X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1070X-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M42-60EX
  仓库库存编号：1727-2581-1-ND
  别名：1727-2581-1
  568-13025-1
  568-13025-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 46W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF13N03LA G
  仓库库存编号：IPF13N03LAGINCT-ND
  别名：IPF13N03LAG
  IPF13N03LAGINCT
  IPF13N03LAINCT
  IPF13N03LAINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1070X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1070X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1070X-T1-E3CT
  SI1070XT1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU13N03LA G
  仓库库存编号：IPU13N03LAGIN-ND
  别名：IPU13N03LA
  IPU13N03LAGIN
  IPU13N03LAGX
  IPU13N03LAGXTIN
  IPU13N03LAGXTIN-ND
  IPU13N03LAIN
  IPU13N03LAIN-ND
  SP000017538
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP14N03LA
  仓库库存编号：IPP14N03LAIN-ND
  别名：IPP14N03LAIN
  IPP14N03LAX
  IPP14N03LAXTIN
  IPP14N03LAXTIN-ND
  SP000014028
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LA
  仓库库存编号：IPB14N03LAINTR-ND
  别名：IPB14N03LAINTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD13N03LA G
  仓库库存编号：IPD13N03LAGINCT-ND
  别名：IPD13N03LAG
  IPD13N03LAGINCT
  IPD13N03LAGXTINCT
  IPD13N03LAGXTINCT-ND
  IPD13N03LAINCT
  IPD13N03LAINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LAT
  仓库库存编号：IPB14N03LAT-ND
  别名：SP000016324
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LA G
  仓库库存编号：IPB14N03LA G-ND
  别名：IPB14N03LAGXT
  SP000085264
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI14N03LA
  仓库库存编号：IPI14N03LA-ND
  别名：IPI14N03LAX
  SP000014029
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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  MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS13N03LA G
  仓库库存编号：IPS13N03LA G-ND
  别名：IPS13N03LAGX
  SP000015133
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 5V,
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