以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PH6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS192PH6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS192PH6327FTSA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N20TM
  仓库库存编号：FDD6N20TMCT-ND
  别名：FDD6N20TMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT A3G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT A3GTB-ND
  别名：TSM1NB60SCT A3GTB
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT A3G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT A3GCT-ND
  别名：TSM1NB60SCT A3GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1NB60CW RPG
  仓库库存编号：TSM1NB60CW RPGTR-ND
  别名：TSM1NB60CW RPGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1NB60CW RPG
  仓库库存编号：TSM1NB60CW RPGCT-ND
  别名：TSM1NB60CW RPGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1NB60CW RPG
  仓库库存编号：TSM1NB60CW RPGDKR-ND
  别名：TSM1NB60CW RPGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM1NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM1NB60CP ROGTR-ND
  别名：TSM1NB60CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM1NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM1NB60CP ROGCT-ND
  别名：TSM1NB60CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM1NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM1NB60CP ROGDKR-ND
  别名：TSM1NB60CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT B0G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT B0G-ND
  别名：TSM1NB60SCT B0GTR
  TSM1NB60SCT B0GTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM1NB60CH C5G
  仓库库存编号：TSM1NB60CH C5G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2R4N50P
  仓库库存编号：IXTY2R4N50P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2R4N50P
  仓库库存编号：IXTP2R4N50P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS192PH6327XTSA1-ND
  别名：SP001195030
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N20TF
  仓库库存编号：FDD6N20TFCT-ND
  别名：FDD6N20TFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327
  仓库库存编号：BSS192PE6327INCT-ND
  别名：BSS192PE6327INCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327T
  仓库库存编号：BSS192PE6327XTINCT-ND
  别名：BSS192PE6327XTINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS192PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS192PL6327
  BSS192PL6327INCT
  BSS192PL6327INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.1nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索