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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 780mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4816NR2G
  仓库库存编号：NTMS4816NR2GOSCT-ND
  别名：NTMS4816NR2GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024NTRPBF
  仓库库存编号：IRFL024NTRPBFCT-ND
  别名：IRFL024NTRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM6NB60CI C0G
  仓库库存编号：TSM6NB60CI C0G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ033NE2LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
  别名：SP001288158
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ031NE2LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ031NE2LS5ATMA1-ND
  别名：SP001385378
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRFL024NTR
  仓库库存编号：AUIRFL024NTR-ND
  别名：SP001519268
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN8R0-30YL,115
  仓库库存编号：568-6904-1-ND
  别名：568-6904-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Tc） 40W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM6NB60CZ C0G
  仓库库存编号：TSM6NB60CZ C0G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024N
  仓库库存编号：IRFL024N-ND
  别名：*IRFL024N
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024NTR
  仓库库存编号：IRFL024NTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD11N10
  仓库库存编号：SPD11N10INTR-ND
  别名：SP000013847
  SPD11N10INTR
  SPD11N10XT
  SPD11N10XT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU11N10
  仓库库存编号：SPU11N10-ND
  别名：SP000013848
  SPU11N10X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRFL024N
  仓库库存编号：AUIRFL024N-ND
  别名：SP001515986
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 10V,
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