以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），36W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6612A
  仓库库存编号：FDD6612ACT-ND
  别名：FDD6612ACT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 56W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB21N06LT,118
  仓库库存编号：1727-4762-1-ND
  别名：1727-4762-1
  568-5939-1
  568-5939-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.5A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），36W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU6612A
  仓库库存编号：FDU6612A-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 56W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD21N06LT,118
  仓库库存编号：PHD21N06LT,118-ND
  别名：934055349118
  PHD21N06LT /T3
  PHD21N06LT /T3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 19A（Tc） 56W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP21N06LT,127
  仓库库存编号：PHP21N06LT,127-ND
  别名：934054560127
  PHP21N06LT
  PHP21N06LT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索