产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7478TRPBF
仓库库存编号：
IRF7478PBFCT-ND
别名：*IRF7478TRPBF
IRF7478PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD17311Q5
仓库库存编号：
296-27625-1-ND
别名：296-27625-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
型号：
RZQ045P01TR
仓库库存编号：
RZQ045P01CT-ND
别名：RZQ045P01CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
型号：
PMN27UP,115
仓库库存编号：
1727-1355-1-ND
别名：1727-1355-1
568-10797-1
568-10797-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述：P 沟道 5.7A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
型号：
PMN27UPH
仓库库存编号：
PMN27UPH-ND
别名：934064768125
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717TRRPBF
仓库库存编号：
IRLR3717TRRPBF-ND
别名：SP001569116
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3717TRPBF-ND
别名：SP001553200
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7478QTR
仓库库存编号：
AUIRF7478QTR-ND
别名：SP001522778
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717PBF
仓库库存编号：
IRLR3717PBF-ND
别名：*IRLR3717PBF
SP001568638
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL3302L
仓库库存编号：
IRL3302L-ND
别名：*IRL3302L
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3302
仓库库存编号：
IRL3302-ND
别名：*IRL3302
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3302S
仓库库存编号：
IRL3302S-ND
别名：*IRL3302S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3302STRL
仓库库存编号：
IRL3302STRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3302STRR
仓库库存编号：
IRL3302STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7811WPBF
仓库库存编号：
IRLR7811WPBF-ND
别名：*IRLR7811WPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3717PBF
仓库库存编号：
IRLU3717PBF-ND
别名：*IRLU3717PBF
SP001573078
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3302SPBF
仓库库存编号：
IRL3302SPBF-ND
别名：*IRL3302SPBF
SP001552554
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3302PBF
仓库库存编号：
IRL3302PBF-ND
别名：*IRL3302PBF
SP001568274
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7811WCPBF
仓库库存编号：
IRLR7811WCPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7811WCTRRP
仓库库存编号：
IRLR7811WCTRRP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7811WCTRLP
仓库库存编号：
IRLR7811WCTRLP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR3717TRLPBF-ND
别名：SP001567384
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7478QTRPBF
仓库库存编号：
IRF7478QTRPBFCT-ND
别名：IRF7478QTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3302STRLPBF
仓库库存编号：
IRL3302STRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 104W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1825AL,115
仓库库存编号：
PH1825AL,115-ND
别名：934063226115
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
无铅
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