产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA04DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA04DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA04DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 31.3A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 31.3A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4010DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4010DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4010DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 660W（Tc） TO-247
型号：
IXTH48N65X2
仓库库存编号：
IXTH48N65X2-ND
别名：632407
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH21N50F
仓库库存编号：
IXFH21N50F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA06DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA06DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA06DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA04DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA04DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA04DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN070-200B,118
仓库库存编号：
1727-4775-1-ND
别名：1727-4775-1
568-5953-1
568-5953-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
型号：
SI4124DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4124DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4124DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN070-200P,127
仓库库存编号：
1727-4662-ND
别名：1727-4662
568-5779
568-5779-5
568-5779-5-ND
568-5779-ND
934055718127
PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-ND
PSMN070-200P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7172DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7172DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7172DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7884BDP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7884BDP-T1-E3CT-ND
别名：SI7884BDP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE832DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE832DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE832DF-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 4.4W（Ta），125W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN7107TR
仓库库存编号：
AUIRFN7107CT-ND
别名：AUIRFN7107CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 12A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
型号：
IXFT12N100F
仓库库存编号：
IXFT12N100F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR166DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR166DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR166DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta） 3.5W（Ta），125W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH4210DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4210DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4210DTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS476DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS476DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS476DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7884BDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7884BDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7884BDP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 1.2W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH3002LPS-13
仓库库存编号：
DMTH3002LPS-13-ND
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 1.2W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMT3002LPS-13
仓库库存编号：
DMT3002LPS-13-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 20.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
型号：
SI4124DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4124DY-T1-E3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE832DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE832DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE832DF-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE876DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE876DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE876DF-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N10S3L-12
仓库库存编号：
IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3L-12CT
IPD70N10S3L-12CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
型号：
STD100NH03LT4
仓库库存编号：
STD100NH03LT4-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 77nC @ 10V,
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