产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB014N04LX3 G
仓库库存编号:
BSB014N04LX3 GCT-ND
别名:BSB014N04LX3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 202A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1404PBF
仓库库存编号:
IRF1404PBF-ND
别名:*IRF1404PBF
SP001561374
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 160A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1404
仓库库存编号:
AUIRF1404-ND
别名:SP001522606
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S3L06XK
仓库库存编号:
IPI80N06S3L06XK-ND
别名:IPI80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06-ND
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L-06IN-ND
IPI80N06S3L06X
SP000088002
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3L-06
仓库库存编号:
IPP80N06S3L-06-ND
别名:IPP80N06S3L06X
IPP80N06S3L06XK
SP000088006
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3L-06
仓库库存编号:
IPB80N06S3L-06INCT-ND
别名:IPB80N06S3L-06INCT
IPB80N06S3L06
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
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