产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709SPBF
仓库库存编号：
IRF3709SPBF-ND
别名：*IRF3709SPBF
SP001571378
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709PBF
仓库库存编号：
IRF3709PBF-ND
别名：*IRF3709PBF
SP001570060
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD03N03LA G
仓库库存编号：
IPD03N03LAGINCT-ND
别名：IPD03N03LAG
IPD03N03LAGINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 1.2W（Ta），66W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP32N055SLE-E1-AY
仓库库存编号：
NP32N055SLE-E1-AY-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 84A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3802TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3802TRPBFCT-ND
别名：IRLR3802TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3709STRLPBF-ND
别名：SP001559576
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
型号：
STD30NE06L
仓库库存编号：
STD30NE06L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
型号：
STD30NE06LT4
仓库库存编号：
STD30NE06LT4-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709S
仓库库存编号：
IRF3709S-ND
别名：*IRF3709S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709L
仓库库存编号：
IRF3709L-ND
别名：*IRF3709L
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709
仓库库存编号：
IRF3709-ND
别名：*IRF3709
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRL
仓库库存编号：
IRF3709STRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRR
仓库库存编号：
IRF3709STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD04N03LA G
仓库库存编号：
IPD04N03LAGINCT-ND
别名：IPD04N03LAGINCT
IPD04N03LAINCT
IPD04N03LAINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 12V 84A（Tc） 88W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3802PBF
仓库库存编号：
IRLU3802PBF-ND
别名：*IRLU3802PBF
SP001559000
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709LPBF
仓库库存编号：
IRF3709LPBF-ND
别名：*IRF3709LPBF
SP001561748
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO252-3
型号：
IPF04N03LA
仓库库存编号：
IPF04N03LA-ND
别名：IPF04N03LAT
SP000014622
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO252-3
型号：
IPF04N03LA G
仓库库存编号：
IPF04N03LA G-ND
别名：IPF04N03LAGXT
SP000017605
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS03N03LA G
仓库库存编号：
IPS03N03LA G-ND
别名：IPS03N03LAGX
SP000016404
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS04N03LA G
仓库库存编号：
IPS04N03LA G-ND
别名：IPS04N03LAGX
SP000016330
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO251-3
型号：
IPU04N03LA
仓库库存编号：
IPU04N03LA-ND
别名：SP000014621
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU04N03LA G
仓库库存编号：
IPU04N03LA G-ND
别名：IPU04N03LAGX
SP000017593
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 24A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC029N025S G
仓库库存编号：
BSC029N025SGINCT-ND
别名：BSC029N025SG
BSC029N025SGINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRRPBF
仓库库存编号：
IRF3709STRRPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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