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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI15NM65N
  仓库库存编号：497-13951-5-ND
  别名：497-13951-5
  STFI15NM65N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU15NM65N
  仓库库存编号：497-16109-5-ND
  别名：497-16109-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：STP15NM65N
  仓库库存编号：497-11871-5-ND
  别名：497-11871-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 7.3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta），44A（Tc） 1.3W（Ta）, 46W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT10H015LPS-13
  仓库库存编号：DMT10H015LPS-13DICT-ND
  别名：DMT10H015LPS-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 8.3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT10H015LSS-13
  仓库库存编号：DMT10H015LSS-13DICT-ND
  别名：DMT10H015LSS-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 10A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），42A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT10H015LFG-7
  仓库库存编号：DMT10H015LFG-7DICT-ND
  别名：DMT10H015LFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15NM65N
  仓库库存编号：497-11866-5-ND
  别名：497-11866-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52.5A（Ta） 2.1W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMTH10H015LK3-13
  仓库库存编号：DMTH10H015LK3-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
  
  型号：DMT10H015LCG-13
  仓库库存编号：DMT10H015LCG-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
  
  型号：DMT10H015LCG-7
  仓库库存编号：DMT10H015LCG-7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta），44A（Tc） 1.3W（Ta）, 46W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH10H015LPS-13
  仓库库存编号：DMTH10H015LPS-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 28A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 2.1W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMTH10H030LK3-13
  仓库库存编号：DMTH10H030LK3-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.9W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMT10H015LK3-13
  仓库库存编号：DMT10H015LK3-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT10H014LSS-13
  仓库库存编号：DMT10H014LSS-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.3nC @ 10V,
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