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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 410mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ1200UPEYL
  仓库库存编号：1727-2315-1-ND
  别名：1727-2315-1
  568-12601-1
  568-12601-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 410mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB1200UPEYL
  仓库库存编号：1727-2325-1-ND
  别名：1727-2325-1
  568-12611-1
  568-12611-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 3.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13380F3T
  仓库库存编号：296-45086-1-ND
  别名：296-45086-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523
  详细描述：表面贴装 P 沟道 650mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-523
  
  型号：CMUDM8005 TR
  仓库库存编号：CMUDM8005 CT-ND
  别名：CMUDM8005 CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.2nC @ 4.5V,
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