产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） TO-236
型号：
SI2369DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2369DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2369DS-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），44A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD3672
仓库库存编号：
FDD3672CT-ND
别名：FDD3672CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA400EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA400EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA400EDJ-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5053TRPBF
仓库库存编号：
IRFH5053TRPBFCT-ND
别名：IRFH5053TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740APBF
仓库库存编号：
IRF740APBF-ND
别名：*IRF740APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.6A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4487DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4487DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4487DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18533Q5AT
仓库库存编号：
296-41959-1-ND
别名：296-41959-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF740ALPBF
仓库库存编号：
IRF740ALPBF-ND
别名：*IRF740ALPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4494
仓库库存编号：
785-1291-1-ND
别名：785-1291-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 3W（Ta），31W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E280GNTB
仓库库存编号：
RS1E280GNTBCT-ND
别名：RS1E280GNTBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ018NE2LSI
仓库库存编号：
BSZ018NE2LSICT-ND
别名：BSZ018NE2LSICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7608-40B,118
仓库库存编号：
1727-4702-1-ND
别名：1727-4702-1
568-5850-1
568-5850-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 6.26A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF8N60CFT
仓库库存编号：
FQPF8N60CFT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 40V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） TO-251
型号：
STU80N4F6
仓库库存编号：
497-13657-5-ND
别名：497-13657-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R250CP
仓库库存编号：
IPW50R250CP-ND
别名：IPW50R250CPFKSA1
SP000301162
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI28N60M2
仓库库存编号：
497-15001-5-ND
别名：497-15001-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E130BNTB
仓库库存编号：
RQ3E130BNTBCT-ND
别名：RQ3E130BNTBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8876
仓库库存编号：
FDS8876CT-ND
别名：FDS8876CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） Power56
型号：
FDMS9410_F085
仓库库存编号：
FDMS9410_F085CT-ND
别名：FDMS9410_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH10H028SPS-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SPS-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SPS-13DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 2W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMNH10H028SK3-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SK3-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SK3-13DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
STB80N4F6AG
仓库库存编号：
497-16506-1-ND
别名：497-16506-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FCD620N60ZF
仓库库存编号：
FCD620N60ZFCT-ND
别名：FCD620N60ZFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 2W（Ta） TO-252
型号：
DMNH10H028SK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SK3Q-13DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH10H028SPSQ-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SPSQ-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SPSQ-13DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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