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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP360N4F6
  仓库库存编号：497-13972-5-ND
  别名：497-13972-5
  STP360N4F6-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI360N4F6
  仓库库存编号：497-14565-5-ND
  别名：497-14565-5
  STI360N4F6-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH360N4F6-2
  仓库库存编号：497-14535-1-ND
  别名：497-14535-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• IXYS
  850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1200W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN90N85X
  仓库库存编号：IXFN90N85X-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JU2
  仓库库存编号：APT58M50JU2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• IXYS
  850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 1785W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB90N85X
  仓库库存编号：IXFB90N85X-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264
  
  型号：APT84M50L
  仓库库存编号：APT84M50L-ND
  别名：APT84M50LMI
  APT84M50LMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT84M50B2
  仓库库存编号：APT84M50B2-ND
  别名：APT84M50B2MI
  APT84M50B2MI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT84F50B2
  仓库库存编号：APT84F50B2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT84F50L
  仓库库存编号：APT84F50L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JU3
  仓库库存编号：APT58M50JU3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JCU2
  仓库库存编号：APT58M50JCU2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58F50J
  仓库库存编号：APT58F50J-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58M50J
  仓库库存编号：APT58M50J-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58MJ50J
  仓库库存编号：APT58MJ50J-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 340nC @ 10V,
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