产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2312CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2312CDS-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y53-100B,115
仓库库存编号：
1727-4944-1-ND
别名：1727-4944-1
568-6238-1
568-6238-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y19-55B,115
仓库库存编号：
1727-4941-1-ND
别名：1727-4941-1
568-6235-1
568-6235-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
STD30NF03LT4
仓库库存编号：
497-3157-1-ND
别名：497-3157-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD024PBF
仓库库存编号：
IRLD024PBF-ND
别名：*IRLD024PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），3.6W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3464DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3464DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3464DV-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD19N10LTM
仓库库存编号：
FQD19N10LTMCT-ND
别名：FQD19N10LTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRPBF
仓库库存编号：
IRLR024TRPBFCT-ND
别名：*IRLR024TRPBF
IRLR024TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 40V 31A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2030ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2030ENGRCT-ND
别名：917-EPC2030ENGRCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024
仓库库存编号：
IRLR024-ND
别名：*IRLR024
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M6R6-30EX
仓库库存编号：
1727-2584-1-ND
别名：1727-2584-1
568-13028-1
568-13028-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024PBF
仓库库存编号：
IRLU024PBF-ND
别名：*IRLU024PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），46A（Tc） 3.3W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6690A
仓库库存编号：
FDD6690ACT-ND
别名：FDD6690ACT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
型号：
IRLZ24LPBF
仓库库存编号：
IRLZ24LPBF-ND
别名：*IRLZ24LPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ24PBF
仓库库存编号：
IRLZ24PBF-ND
别名：*IRLZ24PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220 整包
型号：
IRLIZ24GPBF
仓库库存编号：
IRLIZ24GPBF-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD30N05-20L_GE3
仓库库存编号：
SQD30N05-20L_GE3-ND
别名：SQD30N05-20L-GE3
SQD30N05-20L-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR024TRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24SPBF
仓库库存编号：
IRLZ24SPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ24G
仓库库存编号：
IRLIZ24G-ND
别名：*IRLIZ24G
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TR
仓库库存编号：
IRLR024TR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRL
仓库库存编号：
IRLR024TRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024
仓库库存编号：
IRLU024-ND
别名：*IRLU024
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
含铅
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EPC
TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2030ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2030ENGR-ND
别名：917-EPC2030ENGR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 40A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1955L,115
仓库库存编号：
568-2174-1-ND
别名：568-2174-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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