产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商
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工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(5)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(3)
TO-220-3(1)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6(3)
6-WDFN 裸露焊盘(2)
8-PowerWDFN(3)
SC-100，SOT-669(1)
6-UFBGA，WLCSP(1)
8-WFDFN 裸露焊盘(1)
8-SMD，扁平引线(2)
8-PowerTDFN(3)
PowerPAK? SO-8(4)
DirectFET? 等容 S3C(1)
重新选择
Fairchild/ON Semiconductor(2)
On Semiconductor(2)
Vishay Siliconix(13)
Texas Instruments(3)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(1)
Renesas Electronics America(4)
Infineon Technologies(2)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
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表面贴装(29)
通孔(1)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(24)
-55°C ~ 175°C（TJ）(1)
150°C（TJ）(4)
-40°C ~ 150°C（TJ）(1)
重新选择
-(9)
TrenchFET?(13)
NexFET??(3)
PowerTrench?(2)
OptiMOS??(1)
HEXFET?(1)
AlphaSGT?(1)
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剪切带（CT） (16)
带卷（TR） (12)
管件 (1)
-Reel? (1)
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已不再提供(1)
过期(12)
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8-SO(3)
SOT-23-3（TO-236）(3)
SuperSOT?-6(1)
6-TSOP(2)
8-SOP(2)
6-WLCSP(1)
6-WDFN（2x2）(2)
1206-8 ChipFET?(2)
8-VSON（5x6）(1)
PowerPAK? SO-8(4)
8-VSON-CLIP（5x6）(2)
LFPAK(1)
PG-TO220-3-1(1)
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8-WPAK(1)
DIRECTFET? S3C(1)
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MOSFET（金属氧化物）(30)
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±20V(13)
±16V(3)
±8V(9)
±6V(2)
+10V，-8V(3)
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25nC @ 4.5V(30)
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35 毫欧 @ 5.1A，4.5V(2)
39 毫欧 @ 4.6A，4.5V(1)
12 毫欧 @ 15A，10V(1)
5.5 毫欧 @ 20A，10V(4)
7 毫欧 @ 16A，10V(2)
2.6 毫欧 @ 25A，8V(1)
2 毫欧 @ 30A，8V(2)
26 毫欧 @ 6A，4.5V(1)
3.4 毫欧 @ 30A，10V(1)
64 毫欧 @ 2A，4.5V(1)
2.3 毫欧 @ 25A，10V(1)
3.8 毫欧 @ 19A，10V(3)
6.5 毫欧 @ 16.5A，10V(1)
3.8 毫欧 @ 10A，10V(2)
42 毫欧 @ 5.6A，4.5V(2)
32 毫欧 @ 5.2A，4.5V(2)
36 毫欧 @ 6.2A，4.5V(2)
1.7 毫欧 @ 28A，10V(1)
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4.5V，10V(16)
1.2V，4.5V(2)
1.8V，4.5V(8)
1.5V，4.5V(1)
3V，8V(3)
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N 沟道(19)
P 沟道(11)
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-(2)
3.8A（Ta）(1)
6A（Ta）(1)
3.7A（Ta）(2)
6A（Tc）(1)
7.1A（Tc）(2)
12A（Ta）(2)
13A（Ta）(4)
30A（Ta）(1)
20A（Ta）(2)
80A（Tc）(1)
28A（Ta），100A（Tc）(1)
50A（Ta）(1)
33A（Ta），100A（Tc）(2)
78A（Tc）(3)
5.2A（Ta）(2)
16.5A（Ta）(1)
28A（Ta），125A（Tc）(1)
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-(8)
1225pF @ 6V(2)
1090pF @ 10V(1)
5300pF @ 15V(1)
3480pF @ 15V(1)
4000pF @ 12.5V(2)
1570pF @ 10V(1)
1699pF @ 6V(1)
3230pF @ 15V(2)
3600pF @ 10V(1)
2557pF @ 15V(3)
1652pF @ 30V(1)
3850pF @ 10V(2)
4720pF @ 10V(1)
1585pF @ 4V(2)
2510pF @ 13V(1)
重新选择
-(30)
重新选择
-(3)
2.5V @ 250μA(3)
1V @ 250μA(8)
1.5V @ 250μA(1)
1.4V @ 250μA(2)
2.5V @ 1mA(1)
1.8V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(4)
2.2V @ 250μA(2)
1.55V @ 250μA(1)
720mV @ 250μA(2)
2.1V @ 50μA(1)
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45W（Tc）(1)
700mW（Ta）(2)
1.3W（Ta）(2)
1.6W（Ta）(3)
2W（Ta）(2)
1.25W（Ta），2.5W（Tc）(3)
1.7W（Ta）(4)
3.1W（Ta）(3)
1.9W（Ta）(1)
2.5W（Ta）(2)
2.1W（Ta），42W（Tc）(1)
39W（Tc）(3)
94W（Tc）(1)
3.2W（Ta）(1)
23W（Tc）(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2333CDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2333CDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2333CDS-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2323CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2323CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2323CDS-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17301Q5A
仓库库存编号：
296-25795-1-ND
别名：296-25795-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16325Q5C
仓库库存编号：
296-25645-1-ND
别名：296-25645-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.9W（Ta） 6-WLCSP
型号：
FDZ197PZ
仓库库存编号：
FDZ197PZCT-ND
别名：FDZ197PZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC606P
仓库库存编号：
FDC606PCT-ND
别名：FDC606PCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4874BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4874BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4874BDY-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16325Q5
仓库库存编号：
296-24964-1-ND
别名：296-24964-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2333CDS-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 78A（Tc） 39W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM038N03PQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM038N03PQ33 RGGTR-ND
别名：TSM038N03PQ33 RGGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 78A（Tc） 39W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM038N03PQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM038N03PQ33 RGGCT-ND
别名：TSM038N03PQ33 RGGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 78A（Tc） 39W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM038N03PQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM038N03PQ33 RGGDKR-ND
别名：TSM038N03PQ33 RGGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 16.5A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4262E
仓库库存编号：
AO4262E-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
RJK0349DSP-00#J0
仓库库存编号：
RJK0349DSP-00#J0CT-ND
别名：RJK0349DSP-00#J0CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Ta） 45W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK03M1DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK03M1DPA-00#J5A-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4874BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4874BDY-T1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 23W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2266H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2266H-EL-E-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.2A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5401DC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5401DC-T1-E3CT-ND
别名：SI5401DC-T1-E3CT
SI5401DCT1E3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13A（Ta） 1.7W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7366DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7366DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7366DP-T1-E3CT
SI7366DPT1E3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13A（Ta） 1.7W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7366DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7366DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7366DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS1102PTAG
仓库库存编号：
NTLJS1102PTAG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS1102PTBG
仓库库存编号：
NTLJS1102PTBG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3445DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3445DV-T1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.2A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5401DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5401DC-T1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13A（Ta） 1.7W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7368DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7368DP-T1-E3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V,
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