产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2323CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2323CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2323CDS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17301Q5A
仓库库存编号:
296-25795-1-ND
别名:296-25795-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16325Q5C
仓库库存编号:
296-25645-1-ND
别名:296-25645-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.9W(Ta) 6-WLCSP
型号:
FDZ197PZ
仓库库存编号:
FDZ197PZCT-ND
别名:FDZ197PZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC606P
仓库库存编号:
FDC606PCT-ND
别名:FDC606PCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4874BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4874BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4874BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16325Q5
仓库库存编号:
296-24964-1-ND
别名:296-24964-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 78A(Tc) 39W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM038N03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM038N03PQ33 RGGTR-ND
别名:TSM038N03PQ33 RGGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 78A(Tc) 39W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM038N03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM038N03PQ33 RGGCT-ND
别名:TSM038N03PQ33 RGGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 78A(Tc) 39W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM038N03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM038N03PQ33 RGGDKR-ND
别名:TSM038N03PQ33 RGGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 16.5A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4262E
仓库库存编号:
AO4262E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
RJK0349DSP-00#J0
仓库库存编号:
RJK0349DSP-00#J0CT-ND
别名:RJK0349DSP-00#J0CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Ta) 45W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK03M1DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK03M1DPA-00#J5A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4874BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4874BDY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 23W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2266H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2266H-EL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.2A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5401DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5401DC-T1-E3CT-ND
别名:SI5401DC-T1-E3CT
SI5401DCT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7366DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7366DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7366DP-T1-E3CT
SI7366DPT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7366DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7366DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7366DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3.7A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS1102PTAG
仓库库存编号:
NTLJS1102PTAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3.7A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS1102PTBG
仓库库存编号:
NTLJS1102PTBG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3445DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3445DV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.2A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5401DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5401DC-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7368DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7368DP-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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