产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 362nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix (3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 520W(Tc)
型号:
SIHG73N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG73N60E-GE3-ND
别名:SIHG73N60E-GE3CT
SIHG73N60E-GE3CT-ND
SIHG73N60EGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 362nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N06S3L04XK
仓库库存编号:
IPI100N06S3L04XK-ND
别名:IPI100N06S3L-04
IPI100N06S3L-04-ND
IPI100N06S3L-04IN
IPI100N06S3L-04IN-ND
IPI100N06S3L04X
SP000102211
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 362nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 520W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW73N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW73N60E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 362nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG73N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG73N60E-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 362nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S3L-04
仓库库存编号:
IPP100N06S3L-04IN-ND
别名:IPP100N06S3L-04-ND
IPP100N06S3L-04IN
IPP100N06S3L04X
IPP100N06S3L04XK
SP000102209
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 362nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3L-04
仓库库存编号:
IPB100N06S3L-04INCT-ND
别名:IPB100N06S3L-04INCT
IPB100N06S3L04
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 362nC @ 10V,
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