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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A01FTA
  仓库库存编号：ZXMN3A01FCT-ND
  别名：ZXMN3A01FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5801TRPBF
  仓库库存编号：IRF5801TRPBFCT-ND
  别名：IRF5801TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3355-TL-H
  仓库库存编号：CPH3355-TL-HOSCT-ND
  别名：CPH3355-TL-HOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN3A01E6TA
  仓库库存编号：ZXMN3A01E6CT-ND
  别名：ZXMN3A01E6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2A SOT563
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-563/SCH6
  
  型号：SCH1337-TL-W
  仓库库存编号：SCH1337-TL-WOSCT-ND
  别名：SCH1337-TL-WOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A CPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
  
  型号：CPH6355-TL-W
  仓库库存编号：CPH6355-TL-W-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） SC-88FL/ MCPH6
  
  型号：MCH6344-TL-W
  仓库库存编号：MCH6344-TL-WOSCT-ND
  别名：MCH6344-TL-WOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3355-TL-W
  仓库库存编号：CPH3355-TL-W-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2A SCH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） 6-SCH
  
  型号：SCH1337-TL-H
  仓库库存编号：SCH1337-TL-H-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） 6-MCPH
  
  型号：MCH6344-TL-H
  仓库库存编号：MCH6344-TL-H-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R6N50P
  仓库库存编号：IXTY1R6N50P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.8A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A01FTC
  仓库库存编号：ZXMN3A01FTC-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R6N50P
  仓库库存编号：IXTP1R6N50P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A CPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
  
  型号：CPH6355-TL-H
  仓库库存编号：CPH6355-TL-H-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.9nC @ 10V,
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