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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61N02FTA
  仓库库存编号：ZXM61N02FCT-ND
  别名：ZXM61N02F
  ZXM61N02FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.4nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3K333R,LF
  仓库库存编号：SSM3K333RLFCT-ND
  别名：SSM3K333RLF(TCT
  SSM3K333RLF(TCT-ND
  SSM3K333RLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.4nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Tc） 400mW（Tc） SOT-323
  
  型号：SI1315DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1315DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1315DL-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.4nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17527Q5A
  仓库库存编号：296-29021-1-ND
  别名：296-29021-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.4nC @ 4.5V,
• 含铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 600mW（Ta） S-Mini
  
  型号：SSM3J353F,LF
  仓库库存编号：SSM3J353FLFCT-ND
  别名：SSM3J353FLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.4nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17327Q5A
  仓库库存编号：296-29019-1-ND
  别名：296-29019-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 18W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5C688NLT4G
  仓库库存编号：NVD5C688NLT4GOSCT-ND
  别名：NVD5C688NLT4GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.4nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2.4W（Ta） 6-SON
  
  型号：CSD25302Q2
  仓库库存编号：296-25444-1-ND
  别名：296-25444-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.4nC @ 4.5V,
• 无铅
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