产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R950C6
仓库库存编号:
IPB60R950C6CT-ND
别名:IPB60R950C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R950C6
仓库库存编号:
IPP60R950C6-ND
别名:IPP60R950C6XKSA1
SP000629364
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001467044
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R950CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R950CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R950CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R950C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 26W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R950C6
仓库库存编号:
IPA60R950C6-ND
别名:IPA60R950C6XKSA1
SP000629360
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R950C6AKMA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 36.7W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R950CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R950CFDBTMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.7A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001605396
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6AKMA1-ND
别名:SP001292888
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.9A(Tc) 36.7W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名:SP001117750
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名:SP001107082
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MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252
型号:
IPAW70R950CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW70R950CEXKSA1-ND
别名:SP001619372
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6
仓库库存编号:
IPD60R950C6INCT-ND
别名:IPD60R950C6INCT
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型号:
IPU60R950C6BKMA1
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别名:SP000931532
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