产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 530 毫欧 @ 4A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(2)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(1)
TO-220-3(1)
TO-220-3 整包(2)
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA(1)
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表面贴装(3)
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-55°C ~ 175°C(TJ)(3)
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管件 (4)
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DPAK(2)
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D2PAK(TO-263AB)(1)
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MOSFET(金属氧化物)(7)
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15nC @ 10V(5)
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530 毫欧 @ 4A,10V(7)
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10V(7)
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N 沟道(4)
P 沟道(3)
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8A(Tc)(7)
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470pF @ 25V(3)
529pF @ 100V(2)
395pF @ 100V(2)
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-(7)
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4V @ 250μA(5)
5V @ 250μA(2)
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65W(Tc)(1)
85W(Tc)(1)
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109W(Tc)(1)
3.75W(Ta),65W(Tc)(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10N60DM2
仓库库存编号:
497-16959-ND
别名:497-16959
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 530 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 109W(Tc) DPAK
型号:
STD10N60DM2
仓库库存编号:
497-16924-1-ND
别名:497-16924-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 530 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD11N50M2
仓库库存编号:
497-15306-1-ND
别名:497-15306-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 530 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 8A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 8A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP8P10
仓库库存编号:
FQP8P10FS-ND
别名:FQP8P10-ND
FQP8P10FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 530 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11N50M2
仓库库存编号:
497-15267-5-ND
别名:497-15267-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 530 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8P10TM
仓库库存编号:
FQB8P10TMCT-ND
别名:FQB8P10TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 530 毫欧 @ 4A,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 8A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI8P10TU
仓库库存编号:
FQI8P10TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 530 毫欧 @ 4A,10V,
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