产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R199CP
仓库库存编号:
IPB60R199CPCT-ND
别名:IPB60R199CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R199CPXKSA1-ND
别名:IPA60R199CP
IPA60R199CP-ND
SP000094146
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R199CPXKSA1-ND
别名:IPP60R199CP
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CPX
IPP60R199CPXK
SP000084278
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R199CP
仓库库存编号:
IPA50R199CP-ND
别名:IPA50R199CPXKSA1
SP000236081
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R199CPXKSA1-ND
别名:IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 17A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R199CPXKSA1-ND
别名:IPI50R199CP
IPI50R199CP-ND
SP000523756
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Tc) 139W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R199CP
仓库库存编号:
IPL60R199CPCT-ND
别名:IPL60R199CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R199CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R199CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R199CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R199CPHKSA1-ND
别名:SP000236074
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R199CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R199CPAATMA1-ND
别名:SP000539966
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R199CPXKSA1-ND
别名:IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R199CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R199CPFKSA1-ND
别名:IPW50R199CP
IPW50R199CP-ND
SP000236096
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R199CP
仓库库存编号:
IPW60R199CP-ND
别名:IPW60R199CPFKSA1
IPW60R199CPX
IPW60R199CPXK
SP000089802
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V,
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