产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Ta),80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8441
仓库库存编号:
FDP8441-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L-03
仓库库存编号:
IPP80N03S4L-03-ND
别名:IPP80N03S4L03
IPP80N03S4L03AKSA1
SP000275328
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86566_F085
仓库库存编号:
FDB86566_F085CT-ND
别名:FDB86566_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N03S4L03AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N03S4L03AKSA1-ND
别名:IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03-ND
SP000273285
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF02LAT4
仓库库存编号:
STV160NF02LAT4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 26A(Ta),80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI8441
仓库库存编号:
FDI8441-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 23A(Ta),80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8441_F085
仓库库存编号:
FDP8441_F085-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名:SPB100N03S2L-INTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3L-03
仓库库存编号:
IPB100N06S3L-03INCT-ND
别名:IPB100N06S3L-03INCT
IPB100N06S3L-03XTINCT
IPB100N06S3L-03XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号:
SPB100N03S2L03T-ND
别名:SP000013460
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名:SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
SPB160N04S2L03T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S2L03ATMA2
仓库库存编号:
IPB160N04S2L03ATMA2-ND
别名:SP001058964
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V,
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