产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 毫欧 @ 80A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 104W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN1R603PL,L1Q
仓库库存编号:
TPN1R603PLL1QCT-ND
别名:TPN1R603PLL1QCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 300W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL9406_F085
仓库库存编号:
FDBL9406_F085CT-ND
别名:FDBL9406_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB9403_F085
仓库库存编号:
FDB9403_F085CT-ND
别名:FDB9403_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB9403L_F085
仓库库存编号:
FDB9403L_F085CT-ND
别名:FDB9403L_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 300W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL0120N40
仓库库存编号:
FDBL0120N40CT-ND
别名:FDBL0120N40CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH300NH02L-6
仓库库存编号:
497-12255-1-ND
别名:497-12255-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 毫欧 @ 80A,10V,
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