产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 25A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R6-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4269-ND
别名:1727-4269
568-4900-5
568-4900-5-ND
934063916127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 150A SOT78
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R9-40PLQ
仓库库存编号:
1727-1851-ND
别名:1727-1851
568-11542
568-11542-ND
934067498127
934067606127
PSMN1R9-40PLQ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 135W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R7-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2497-1-ND
别名:1727-2497-1
568-12929-1
568-12929-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE806DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE806DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE806DF-T1-E3CT
SIE806DFT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE806DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE806DF-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R9-40E,127
仓库库存编号:
568-9860-5-ND
别名:568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E1R8-40E,127
仓库库存编号:
BUK9E1R8-40E,127-ND
别名:934066586127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 25A,10V,
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