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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Diodes Incorporated (3)
Vishay Siliconix (3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 500mW(Ta) SOT-363
型号:
DMN2075UDW-7
仓库库存编号:
DMN2075UDW-7DICT-ND
别名:DMN2075UDW-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 3A,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3TR-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3-ND
SI1489EDH-T1-GE3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 3A,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 3A,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3DKR-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3DKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 3A,4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 660mW SOT-363
型号:
DMP1055USW-13
仓库库存编号:
DMP1055USW-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 3A,4.5V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 660mW SOT-363
型号:
DMP1055USW-7
仓库库存编号:
DMP1055USW-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 3A,4.5V,
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