产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.9W(Ta), 180W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMTH6004SK3-13
仓库库存编号:
DMTH6004SK3-13DICT-ND
别名:DMTH6004SK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S4L04ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPD038N06N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.9W(Ta), 180W(Tc) TO-252-4L
型号:
DMTH6004SK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH6004SK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH6004SK3Q-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S404ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S404ATMA2-ND
别名:SP001028762
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N06S404ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N06S404ATMA1TR-ND
别名:IPD90N06S4-04
IPD90N06S4-04-ND
SP000374323
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名:IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04NG
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V,
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