产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 30A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263
型号:
SQM120N04-1M7L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND
别名:SQM120N04-1M7L-GE3-ND
SQM120N04-1M7L-GE3CT-ND
SQM120N04-1M7L_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),136A(Tc) 3.1W(Ta), 64W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C022NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4C022NT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),136A(Tc) 3.1W(Ta), 64W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C022NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C022NT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
SQM200N04-1M7L_GE3
仓库库存编号:
SQM200N04-1M7L_GE3-ND
别名:SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M7_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M7-GE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),147A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB017N03LX3 G
仓库库存编号:
BSB017N03LX3 GCT-ND
别名:BSB017N03LX3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.7 毫欧 @ 30A,10V,
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