产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 100A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 214W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP039N08B_F102
仓库库存编号:
FDP039N08B_F102-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB039N10N3 G
仓库库存编号:
IPB039N10N3 GCT-ND
别名:IPB039N10N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3 G E8187TR-ND
SP000939340
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-1
型号:
IPI120N10S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S403AKSA1-ND
别名:SP001102584
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N10S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N10S403AKSA1-ND
别名:SP001102564
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 100A,10V,
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