产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (7)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (2)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 3.8W(Ta), 214W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
FDB0250N807L
仓库库存编号:
FDB0250N807LCT-ND
别名:FDB0250N807LCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6619
仓库库存编号:
IRF6619CT-ND
别名:IRF6619CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6619TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6619TR1PBFCT-ND
别名:IRF6619TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678
仓库库存编号:
IRF6678CT-ND
别名:IRF6678CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
含铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 3W(Ta),33W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E300GNTB
仓库库存编号:
RS1E300GNTBCT-ND
别名:RS1E300GNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUM50020E-GE3
仓库库存编号:
SUM50020E-GE3CT-ND
别名:SUM50020E-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK03C1DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK03C1DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK03C1DPB-00#J5CT
RJK03C1DPB00J5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),156A(Tc) 900mW(Ta),86.2W(Tc) SO-8FL
型号:
NTMFS4833NST1G
仓库库存编号:
NTMFS4833NST1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),156A(Tc) 900mW(Ta),86.2W(Tc) SO-8FL
型号:
NTMFS4833NST3G
仓库库存编号:
NTMFS4833NST3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6618
仓库库存编号:
IRF6618CT-ND
别名:*IRF6618
IRF6618CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6618TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6618TR1PBFCT-ND
别名:IRF6618TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6678TR1PBFCT-ND
别名:IRF6678TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 28A(Ta) 2.7W(Ta),39W(Tc)
型号:
IRFHM4226TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4226TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4226TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号