产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 30A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),163A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB013NE2LXI
仓库库存编号:
BSB013NE2LXICT-ND
别名:BSB013NE2LXICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),174A(Tc) 2.8W(Ta),65W(Tc) Power33
型号:
FDMC8010ET30
仓库库存编号:
FDMC8010ET30CT-ND
别名:FDMC8010ET30CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),75A(Tc) 2.4W(Ta),54W(Tc) Power33
型号:
FDMC8010
仓库库存编号:
FDMC8010CT-ND
别名:FDMC8010CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0500NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0500NSIATMA1-ND
别名:SP001288136
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 30A,10V,
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