产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 350 毫欧 @ 5.6A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R350CPXKSA1-ND
别名:IPA50R350CP
IPA50R350CP-ND
SP000236078
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 350 毫欧 @ 5.6A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名:IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 350 毫欧 @ 5.6A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPHKSA1-ND
别名:SP000236069
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 350 毫欧 @ 5.6A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名:IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 350 毫欧 @ 5.6A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R350CP
仓库库存编号:
IPI50R350CP-ND
别名:SP000236084
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 350 毫欧 @ 5.6A,10V,
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