产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 3.8A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R280P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R280P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R280P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 3.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_NEW
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R280P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R280P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R280P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 3.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R280P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280P7SXKSA1-ND
别名:SP001658160
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 3.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R280P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R280P7SXKSA1-ND
别名:SP001658180
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 3.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280P7XKSA1-ND
别名:SP001658302
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 3.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 53W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280P7XKSA1-ND
别名:SP001647026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 3.8A,10V,
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