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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S06M3L(T6L1NQ
  TJ60S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.2 毫欧 @ 30A，10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB11N03LA
  仓库库存编号：IPB11N03LA-ND
  别名：IPB11N03LAT
  SP000014987
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.2 毫欧 @ 30A，10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB11N03LA G
  仓库库存编号：IPB11N03LA G-ND
  别名：IPB11N03LAGXT
  SP000103306
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.2 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
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