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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPHR9003NL,L1Q
  仓库库存编号：TPHR9003NLL1QCT-ND
  别名：TPHR9003NL,L1QCT
  TPHR9003NL,L1QCT-ND
  TPHR9003NLL1QCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC009NE2LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC009NE2LS5ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC009NE2LS
  仓库库存编号：BSC009NE2LSCT-ND
  别名：BSC009NE2LSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS4C01NT3G
  仓库库存编号：NVMFS4C01NT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS4C01NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS4C01NWFT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS4C01NT1G
  仓库库存编号：NVMFS4C01NT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS4C01NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS4C01NWFT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），269A（Tc） 2.7W（Ta）, 104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4H013NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4H013NFT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C01NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4C01NT3G-ND
  
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  MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），269A（Tc） 2.7W（Ta）, 104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4H013NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4H013NFT1G-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C01NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C01NT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 0.9 毫欧 @ 30A，10V,
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