产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640PBF
仓库库存编号:
IRF640PBF-ND
别名:*IRF640PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640SPBF
仓库库存编号:
IRF640SPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP22N60E-E3-ND
别名:SIHP22N60EE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG22N60E-E3-ND
别名:SIHG22N60EE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA22N60E-E3-ND
别名:SIHA22N60E-E3CT
SIHA22N60E-E3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHB22N60E-E3-ND
别名:SIHB22N60EE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP22N65E-GE3-ND
别名:SIHP22N65E-GE3CT
SIHP22N65E-GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA22N60AE-E3
仓库库存编号:
SIHA22N60AE-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHP22N60AE-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60AE-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N60AE-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc)
型号:
SIHP22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP22N60E-GE3-ND
别名:SIHP22N60E-GE3CT
SIHP22N60E-GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP21N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHP21N65EF-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N60E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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MOSFET N-CH 650V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA21N65EF-E3
仓库库存编号:
SIHA21N65EF-E3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB21N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHB21N65EF-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG21N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG21N65EF-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRLPBF
仓库库存编号:
IRF640STRLPBFCT-ND
别名:IRF640STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF22N60E-GE3CT-ND
别名:SIHF22N60E-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.8A(Tc) 156W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH21N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH21N65EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH21N65EF-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRRPBF
仓库库存编号:
IRF640STRRPBFCT-ND
别名:IRF640STRRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N65E-GE3CT-ND
别名:SIHB22N65E-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60E-GE3-ND
别名:SIHB22N60EGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF22N65E-GE3-ND
别名:SIHF22N65E-GE3CT
SIHF22N65E-GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N65E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V,
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