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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
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N 沟道(1)
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8A（Tc）(1)
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3900pF @ 25V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 130W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC14N80P
仓库库存编号：
IXFC14N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 770 毫欧 @ 7A，10V,
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