产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19536KTTT
仓库库存编号:
296-41136-1-ND
别名:296-41136-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 294W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7534PBF
仓库库存编号:
IRFB7534PBF-ND
别名:SP001554650
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI024N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI024N06N3GXKSA1-ND
别名:SP000680644
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S4H2ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
别名:IPB100N04S4H2ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 294W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7534TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7534TRLPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
别名:IPB180P04P4L02ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 246W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB024N08BL7
仓库库存编号:
FDB024N08BL7CT-ND
别名:FDB024N08BL7CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19536KTT
仓库库存编号:
CSD19536KTT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 360A(Tc) 935W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH360N055T2
仓库库存编号:
IXTH360N055T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 360A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 360A(Tc) 935W(Tc) TO-268
型号:
IXTT360N055T2
仓库库存编号:
IXTT360N055T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028782
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 294W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7534PBF
仓库库存编号:
IRFSL7534PBF-ND
别名:SP001568208
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA2-ND
别名:SP001028780
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 120A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB024N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB024N08N5ATMA1-ND
别名:SP001227044
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP024N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP024N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP024N06N3 G
IPP024N06N3 G-ND
IPP024N06N3G
SP000680764
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI024N06N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI024N06N3GHKSA1-ND
别名:IPI024N06N3 G
IPI024N06N3 G-ND
SP000451486
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-02
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SP000415560
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-H1
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产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 100A,10V,
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