产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 7.8A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD11N10
仓库库存编号:
SPD11N10INTR-ND
别名:SP000013847
SPD11N10INTR
SPD11N10XT
SPD11N10XT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 7.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10
仓库库存编号:
SPB10N10-ND
别名:SP000013845
SPB10N10T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 7.8A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10 G
仓库库存编号:
SPB10N10 G-ND
别名:SP000102168
SPB10N10GXT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 7.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI10N10
仓库库存编号:
SPI10N10-ND
别名:SP000013846
SPI10N10X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 7.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP10N10
仓库库存编号:
SPP10N10-ND
别名:SP000013844
SPP10N10X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 7.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU11N10
仓库库存编号:
SPU11N10-ND
别名:SP000013848
SPU11N10X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 7.8A,10V,
无铅
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