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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10NM60N
  仓库库存编号：497-10021-1-ND
  别名：497-10021-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10NM60N
  仓库库存编号：497-12564-5-ND
  别名：497-12564-5
  STF10NM60N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU10NM60N
  仓库库存编号：497-12692-5-ND
  别名：497-12692-5
  STU10NM60N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP10NM60N
  仓库库存编号：497-9098-5-ND
  别名：497-9098-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N65X2M
  仓库库存编号：IXTP8N65X2M-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI10NM60N
  仓库库存编号：497-13839-5-ND
  别名：497-13839-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10NM60ND
  仓库库存编号：497-12246-ND
  别名：497-12246
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N550U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N550U1T4G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：NDD60N550U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N550U1-1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：NDD60N550U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N550U1-35G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8A（Tc） 3.13W（Ta），87W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8N25TM
  仓库库存编号：FQB8N25TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 4A，10V,
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