产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (6)
IXYS (3)
STMicroelectronics (2)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 50A
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-247
型号:
STW56N60DM2
仓库库存编号:
497-16341-5-ND
别名:497-16341-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GATMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号:
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名:BSC600N25NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP600N25N3 G
仓库库存编号:
IPP600N25N3 G-ND
别名:IPP600N25N3G
IPP600N25N3GXKSA1
SP000677832
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB600N25N3 G
仓库库存编号:
IPB600N25N3 GCT-ND
别名:IPB600N25N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 50A
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-247
型号:
STW58N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16131-5-ND
别名:497-16131-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 90W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP50N20PM
仓库库存编号:
IXTP50N20PM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N25T
仓库库存编号:
IXTQ50N25T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N25T
仓库库存编号:
IXTH50N25T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI600N25N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI600N25N3GAKSA1-ND
别名:IPI600N25N3 G
IPI600N25N3 G-ND
IPI600N25N3G
SP000714316
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 44A(Tc) 380W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP264NPBF
仓库库存编号:
IRFP264NPBF-ND
别名:*IRFP264NPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号