产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 300mA,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3(1)
SC-70,SOT-323(1)
4-DIP(0.300",7.62mm)(1)
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Nexperia USA Inc.(2)
Vishay Siliconix(1)
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表面贴装(2)
通孔(1)
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-(1)
-55°C ~ 150°C(TA)(2)
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-(1)
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?(2)
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剪切带(CT) (2)
管件 (1)
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在售(2)
过期(1)
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TO-236AB(SOT23)(1)
SOT-323-3(1)
4-DIP,Hexdip,HVMDIP(1)
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MOSFET(金属氧化物)(3)
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±20V(2)
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0.8nC @ 4.5V(2)
15nC @ 15V(1)
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1.6 欧姆 @ 300mA,10V(3)
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10V(2)
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N 沟道(2)
P 沟道(1)
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360mA(Ta)(1)
320mA(Ta)(1)
600mA(Ta)(1)
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50pF @ 10V(2)
250pF @ 25V(1)
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-(3)
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-(1)
1.5V @ 250μA(2)
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-(1)
260mW(Ta),830mW(Tc)(1)
350mW(Ta),1.14W(Tc)(1)
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60V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 320mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
型号:
BSS138PW,115
仓库库存编号:
1727-1143-1-ND
别名:1727-1143-1
568-10309-1
568-10309-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 300mA,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSS138P,215
仓库库存编号:
1727-1142-1-ND
别名:1727-1142-1
568-10308-1
568-10308-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 300mA,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 600mA(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9113
仓库库存编号:
IRFD9113-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 300mA,10V,
含铅
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