产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB48EP,115
仓库库存编号:
1727-1241-1-ND
别名:1727-1241-1
568-10447-1
568-10447-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343
仓库库存编号:
IRLU4343-ND
别名:*IRLU4343
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRL
仓库库存编号:
IRLR4343CTL-ND
别名:*IRLR4343TRL
IRLR4343CTL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 39W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB4343
仓库库存编号:
IRLIB4343-ND
别名:*IRLIB4343
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343PBF
仓库库存编号:
IRLR4343PBF-ND
别名:*IRLR4343PBF
SP001558486
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343PBF
仓库库存编号:
IRLU4343PBF-ND
别名:*IRLU4343PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR4343-701PBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V,
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